เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-236AB (SOT23) |
ชุด: | TrenchMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 120mA, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 250mW (Ta) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ชื่ออื่น: | 1727-4246-2 568-4873-2 568-4873-2-ND 933946340215 BSS123 T/R BSS123 T/R-ND BSS123,215-ND BSS123215 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 40pF @ 25V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 100V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 150mA (Ta) |
Email: | [email protected] |