ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT60N60BCSG
APT60N60BCSG
APT60N60BCSG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT60N60BCSG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15191 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
APT60N60BCSG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT60N60BCSG, use the request quote form to request APT60N60BCSG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT60N60BCSG.The price and lead time for APT60N60BCSG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT60N60BCSG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.9V @ 3mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 [B]
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 44A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):431W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:7200pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:190nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:60A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT60N60BCSG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK การสอบสวน
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 การสอบสวน
APT60M75JVR Image APT60M75JVR Microsemi MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 การสอบสวน
APT60M60JLL Image APT60M60JLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 การสอบสวน
APT60M75L2FLLG Image APT60M75L2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX การสอบสวน
APT60M80L2VRG Image APT60M80L2VRG Microsemi MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX การสอบสวน
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 การสอบสวน
APT60M75L2LLG Image APT60M75L2LLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX การสอบสวน
APT60M75JVFR Image APT60M75JVFR Microsemi MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 การสอบสวน
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 การสอบสวน
APT60M60JFLL Image APT60M60JFLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 การสอบสวน
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 การสอบสวน
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX การสอบสวน
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK การสอบสวน
APT60N60SCSG Image APT60N60SCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK การสอบสวน
APT60M75JFLL Image APT60M75JFLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT60M75JLL Image APT60M75JLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 การสอบสวน
APT60M80JVR Image APT60M80JVR Microsemi MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 การสอบสวน
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX การสอบสวน

ข่าว Latest