ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT6010B2LLG
APT6010B2LLG
APT6010B2LLG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT6010B2LLG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
38150 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
APT6010B2LLG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT6010B2LLG, use the request quote form to request APT6010B2LLG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT6010B2LLG.The price and lead time for APT6010B2LLG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT6010B2LLG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:6710pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย:T-MAX™ [B2]
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:100 mOhm @ 27A, 10V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ชุด:POWER MOS 7®
สถานะ RoHS:Tube
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:54A (Tc)
โพลาไรซ์:TO-247-3 Variant
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:APT6010B2LLG
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:150nC @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:5V @ 2.5mA
คุณสมบัติ FET:N-Channel
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):-
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:600V
อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ:690W (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT6010B2LLG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT58M50JU3 Image APT58M50JU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT6030BN Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD การสอบสวน
APT60D100LCTG Image APT60D100LCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 การสอบสวน
APT6013LLLG Image APT6013LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 การสอบสวน
APT58M50J Image APT58M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT6017LLLG Image APT6017LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 การสอบสวน
APT5SM170B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 การสอบสวน
APT6017LFLLG Image APT6017LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 การสอบสวน
APT58M80J Image APT58M80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT6040BN Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD การสอบสวน
APT5SM170S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK การสอบสวน
APT60D100BG Image APT60D100BG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 การสอบสวน
APT5F100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 การสอบสวน
APT58M50JCU3 Image APT58M50JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 การสอบสวน
APT60D100SG Image APT60D100SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 การสอบสวน
APT6013JLL Image APT6013JLL Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 การสอบสวน
APT6040BNG Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD การสอบสวน
APT58M50JU2 Image APT58M50JU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 การสอบสวน
APT58MJ50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP การสอบสวน
APT58M50JCU2 Image APT58M50JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest