ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT38M50J
APT38M50J
APT38M50J
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT38M50J
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
26312 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
1.APT38M50J.pdf2.APT38M50J.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT38M50J, use the request quote form to request APT38M50J pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT38M50J.The price and lead time for APT38M50J depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT38M50J.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:POWER MOS 8™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 28A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):357W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
ชื่ออื่น:APT38M50JMP
APT38M50JMP-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:8800pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:220nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):500V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 500V 38A (Tc) 357W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:38A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT38M50J

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 การสอบสวน
APT40DC120HJ Image APT40DC120HJ Microsemi RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 การสอบสวน
APT39F60J Image APT39F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 การสอบสวน
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK การสอบสวน
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 การสอบสวน
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 การสอบสวน
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX การสอบสวน
APT4065BNG Microsemi MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD การสอบสวน
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 การสอบสวน
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 การสอบสวน
APT38N60SC6 Image APT38N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK การสอบสวน
APT39M60J Image APT39M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 การสอบสวน
APT4012BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD การสอบสวน
APT38F80L Image APT38F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 การสอบสวน
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 การสอบสวน
APT4012BVR Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD การสอบสวน
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 การสอบสวน
APT40DC60HJ Image APT40DC60HJ Microsemi RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 การสอบสวน
APT4016BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V TO-247 การสอบสวน
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX การสอบสวน

ข่าว Latest