ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT14050JVFR
APT14050JVFR
APT14050JVFR
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT14050JVFR
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
70866 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
APT14050JVFR.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT14050JVFR, use the request quote form to request APT14050JVFR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT14050JVFR.The price and lead time for APT14050JVFR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT14050JVFR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:POWER MOS V®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 11.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):694W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
ชื่ออื่น:APT14050JFVR
APT14050JFVR-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:13500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:820nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1400V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 1400V 23A (Tc) 694W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:23A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT14050JVFR

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT150GN120J Image APT150GN120J Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 การสอบสวน
APT150GN120JDQ4 Image APT150GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 215A 625W SOT227 การสอบสวน
APT150GN60J Image APT150GN60J Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 การสอบสวน
APT13005T-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 4A TO220AB การสอบสวน
APT13GP120KG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO220 การสอบสวน
APT14M100S Image APT14M100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK การสอบสวน
APT150GN60JDQ4 Image APT150GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 การสอบสวน
APT150GN60B2G Image APT150GN60B2G Microsemi IGBT 600V 220A 536W SOT227 การสอบสวน
APT13005SU-G1 Image APT13005SU-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 3.2A TO126 การสอบสวน
APT13F120S Image APT13F120S Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK การสอบสวน
APT14F100B Image APT14F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
APT14M120B Image APT14M120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 การสอบสวน
APT14F100S Image APT14F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK การสอบสวน
APT130SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 การสอบสวน
APT13005TF-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 4A TO220-3 การสอบสวน
APT13GP120BG Image APT13GP120BG Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO247 การสอบสวน
APT13F120B Image APT13F120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 การสอบสวน
APT14M100B Image APT14M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
APT13GP120BDQ1G Image APT13GP120BDQ1G Microsemi IGBT 1200V 41A 250W TO247 การสอบสวน
APT130SM70J Image APT130SM70J Microsemi MOSFET N-CH 700V SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest