Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - Bipolär (BJT) - Arrays, Pre-Biased > DME914C10R
DME914C10R
DME914C10R
Artikelnummer:
DME914C10R
Tillverkare:
Panasonic
Beskrivning:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
Ledningsfri status / RoHS-status:
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
tillgänglig kvantitet:
21122 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
DME914C10R.pdf
Förfrågan

Introduktion

We can supply DME914C10R, use the request quote form to request DME914C10R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DME914C10R.The price and lead time for DME914C10R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DME914C10R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikationer

Tillstånd New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max):50V, 12V
Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistortyp:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Leverantörs Device Package:SSMini6-F3-B
Serier:-
Motstånd - Emitterbas (R2):47 kOhms
Motstånd - Bas (R1):4.7 kOhms
Effekt - Max:125mW
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral:SOT-563, SOT-666
Andra namn:DME914C10R-ND
DME914C10RTR
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:11 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Frekvens - Övergång:300MHz
detaljerad beskrivning:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 300MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Nuvarande - Collector Cutoff (Max):500nA
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max):100mA, 500mA
Bas-delenummer:DME914C1
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till DME914C10R

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
DME201010R Image DME201010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5 Förfrågan
DME800 Microsemi TRANS RF BIPO 2500 50A 55ST1 Förfrågan
DME50C010R Image DME50C010R Panasonic TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5 Förfrågan
DME205010R Image DME205010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6 Förfrågan
DME50B010R Image DME50B010R Panasonic TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5 Förfrågan
DME1737-NW Micrel / Microchip Technology IC SUPER I/O W/TEMP SENS 128MQFP Förfrågan
DME2458-000 Skyworks Solutions, Inc. DIODE SCHOTTKY 500V BEAM LEAD Förfrågan
DME400A Microsemi TRANSISTOR BIPO 55AW-1 Förfrågan
XP0121100L Image XP0121100L Panasonic TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5 Förfrågan
DME2333-000 Skyworks Solutions, Inc. DIODE SCHOTTKY 500V BEAM LEAD Förfrågan
DME375A Microsemi TRANS RF BIPO 875W 30A 55AW1 Förfrågan
DME505010R Image DME505010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6 Förfrågan
DME20B010R Image DME20B010R Panasonic TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5 Förfrågan
DME20C010R Image DME20C010R Panasonic TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5 Förfrågan
NSBC124EPDXV6T5G Image NSBC124EPDXV6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Förfrågan
DME201020R Image DME201020R Panasonic TRANS NPN/PNP 60V 0.5A MINI5 Förfrågan
DMC266010R Panasonic TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 Förfrågan
RN1911FETE85LF Image RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Förfrågan
DME501010R Image DME501010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI5 Förfrågan
DME500 Microsemi TRANS RF BIPO 1700W 40A 55KT1 Förfrågan

Latest News