русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > DME914C10R
DME914C10R
DME914C10R
Тип продуктов:
DME914C10R
производитель:
Panasonic
Описание:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
21122 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
DME914C10R.pdf
запрос

Введение

We can supply DME914C10R, use the request quote form to request DME914C10R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DME914C10R.The price and lead time for DME914C10R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DME914C10R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):50V, 12V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Тип транзистор:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Поставщик Упаковка устройства:SSMini6-F3-B
Серии:-
Резистор - основание эмиттера (R2):47 kOhms
Резистор - основание (R1):4.7 kOhms
Мощность - Макс:125mW
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:SOT-563, SOT-666
Другие названия:DME914C10R-ND
DME914C10RTR
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:11 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход:300MHz
Подробное описание:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 300MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):100mA, 500mA
Номер базового номера:DME914C1
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для DME914C10R

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
DME201010R Image DME201010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5 запрос
DME800 Microsemi TRANS RF BIPO 2500 50A 55ST1 запрос
DME50C010R Image DME50C010R Panasonic TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5 запрос
DME205010R Image DME205010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6 запрос
DME50B010R Image DME50B010R Panasonic TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5 запрос
DME1737-NW Micrel / Microchip Technology IC SUPER I/O W/TEMP SENS 128MQFP запрос
DME2458-000 Skyworks Solutions, Inc. DIODE SCHOTTKY 500V BEAM LEAD запрос
DME400A Microsemi TRANSISTOR BIPO 55AW-1 запрос
XP0121100L Image XP0121100L Panasonic TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5 запрос
DME2333-000 Skyworks Solutions, Inc. DIODE SCHOTTKY 500V BEAM LEAD запрос
DME375A Microsemi TRANS RF BIPO 875W 30A 55AW1 запрос
DME505010R Image DME505010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6 запрос
DME20B010R Image DME20B010R Panasonic TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5 запрос
DME20C010R Image DME20C010R Panasonic TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5 запрос
NSBC124EPDXV6T5G Image NSBC124EPDXV6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 запрос
DME201020R Image DME201020R Panasonic TRANS NPN/PNP 60V 0.5A MINI5 запрос
DMC266010R Panasonic TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 запрос
RN1911FETE85LF Image RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 запрос
DME501010R Image DME501010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI5 запрос
DME500 Microsemi TRANS RF BIPO 1700W 40A 55KT1 запрос

Latest Новости