русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFN36N110P
IXFN36N110P
IXFN36N110P
Тип продуктов:
IXFN36N110P
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
36561 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXFN36N110P.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFN36N110P, use the request quote form to request IXFN36N110P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN36N110P.The price and lead time for IXFN36N110P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN36N110P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:6.5V @ 1mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:SOT-227B
Серии:Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):1000W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:23000pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:350nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1100V
Подробное описание:N-Channel 1100V 36A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFN36N110P

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFN34N80 Image IXFN34N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B запрос
IXFN340N07 Image IXFN340N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B запрос
IXFN40N110P Image IXFN40N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B запрос
IXFN36N100 Image IXFN36N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B запрос
IXFN340N06 Image IXFN340N06 IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B запрос
IXFN39N90 Image IXFN39N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B запрос
IXFN360N10T Image IXFN360N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B запрос
IXFN360N15T2 Image IXFN360N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 запрос
IXFN40N90P Image IXFN40N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 запрос
IXFN38N100P Image IXFN38N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B запрос
IXFN36N60 Image IXFN36N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B запрос
IXFN420N10T Image IXFN420N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 запрос
IXFN34N100 Image IXFN34N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B запрос
IXFN32N60 Image IXFN32N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 запрос
IXFN400N15X3 Image IXFN400N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH запрос
IXFN40N110Q3 Image IXFN40N110Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B запрос
IXFN32N80P Image IXFN32N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B запрос
IXFN38N100Q2 Image IXFN38N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 запрос
IXFN38N80Q2 Image IXFN38N80Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 запрос
IXFN32N120P Image IXFN32N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B запрос

Latest Новости