IXFN21N100Q
IXFN21N100Q
Тип продуктов:
IXFN21N100Q
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
53203 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXFN21N100Q.pdf

Введение

We can supply IXFN21N100Q, use the request quote form to request IXFN21N100Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN21N100Q.The price and lead time for IXFN21N100Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN21N100Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:SOT-227B
Серии:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):520W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:14 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:5900pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:170nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1000V
Подробное описание:N-Channel 1000V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание