русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFN210N30X3
IXFN210N30X3
IXFN210N30X3
Тип продуктов:
IXFN210N30X3
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
FET N-CHANNEL
Доступное количество:
38457 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXFN210N30X3.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFN210N30X3, use the request quote form to request IXFN210N30X3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN210N30X3.The price and lead time for IXFN210N30X3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN210N30X3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:4.5V @ 8mA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:SOT-227B
Серии:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.6 mOhm @ 105A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):695W (Tc)
Упаковка /:SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:24200pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:375nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):300V
Подробное описание:N-Channel 300V 210A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:210A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFN210N30X3

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFN230N20T Image IXFN230N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 запрос
IXFN20N120 Image IXFN20N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B запрос
IXFN21N100Q Image IXFN21N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B запрос
IXFN24N100 Image IXFN24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B запрос
IXFN240N25X3 Image IXFN240N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B запрос
IXFN200N10P Image IXFN200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B запрос
IXFN240N15T2 Image IXFN240N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 запрос
IXFN210N30P3 Image IXFN210N30P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 запрос
IXFN23N100 Image IXFN23N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B запрос
IXFN180N15P Image IXFN180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B запрос
IXFN24N90Q Image IXFN24N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B запрос
IXFN200N07 Image IXFN200N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B запрос
IXFN230N10 Image IXFN230N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B запрос
IXFN180N10 Image IXFN180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B запрос
IXFN24N100F Image IXFN24N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B запрос
IXFN180N20 Image IXFN180N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B запрос
IXFN220N20X3 Image IXFN220N20X3 IXYS Corporation 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFN20N120P Image IXFN20N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B запрос
IXFN210N20P Image IXFN210N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B запрос
IXFN180N25T Image IXFN180N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 запрос

Latest Новости