русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFN200N10P
IXFN200N10P
IXFN200N10P
Тип продуктов:
IXFN200N10P
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
6320 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXFN200N10P.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFN200N10P, use the request quote form to request IXFN200N10P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN200N10P.The price and lead time for IXFN200N10P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN200N10P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - испытания:7600pF @ 25V
Напряжение - Разбивка:SOT-227B
Vgs (й) (Max) @ Id:7.5 mOhm @ 500mA, 10V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Серии:Polar™
Статус RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200A
поляризация:SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Номер детали производителя:IXFN200N10P
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:235nC @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:5V @ 8mA
FET Характеристика:N-Channel
Расширенное описание:N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Слить к источнику напряжения (VDSS):-
Описание:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:100V
Коэффициент емкости:680W (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFN200N10P

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFN170N30P Image IXFN170N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B запрос
IXFN180N25T Image IXFN180N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 запрос
IXFN180N15P Image IXFN180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B запрос
IXFN20N120P Image IXFN20N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B запрос
IXFN180N20 Image IXFN180N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B запрос
IXFN21N100Q Image IXFN21N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B запрос
IXFN210N30P3 Image IXFN210N30P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 запрос
IXFN210N30X3 Image IXFN210N30X3 IXYS Corporation FET N-CHANNEL запрос
IXFN230N20T Image IXFN230N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 запрос
IXFN210N20P Image IXFN210N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B запрос
IXFN20N120 Image IXFN20N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B запрос
IXFN170N65X2 Image IXFN170N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH запрос
IXFN170N25X3 Image IXFN170N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B запрос
IXFN180N10 Image IXFN180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B запрос
IXFN230N10 Image IXFN230N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B запрос
IXFN180N07 Image IXFN180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B запрос
IXFN23N100 Image IXFN23N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B запрос
IXFN220N20X3 Image IXFN220N20X3 IXYS Corporation 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFN170N10 Image IXFN170N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B запрос
IXFN200N07 Image IXFN200N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B запрос

Latest Новости