русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APTM100A13SCG
APTM100A13SCG
APTM100A13SCG
Тип продуктов:
APTM100A13SCG
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
6324 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
APTM100A13SCG.pdf
запрос

Введение

We can supply APTM100A13SCG, use the request quote form to request APTM100A13SCG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM100A13SCG.The price and lead time for APTM100A13SCG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM100A13SCG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 6mA
Поставщик Упаковка устройства:SP6
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:156 mOhm @ 32.5A, 10V
Мощность - Макс:1250W
упаковка:Bulk
Упаковка /:SP6
Другие названия:APTM100A13SCGMI
APTM100A13SCGMI-ND
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:15200pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:562nC @ 10V
Тип FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Характеристика:Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS):1000V (1kV)
Подробное описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:65A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APTM100A13SCG

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APTLGF300A1208G Image APTLGF300A1208G Microsemi POWER MOD IGBT PHASE LEG LP8 запрос
APTM100A13DG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 запрос
APTLGL325A1208G Image APTLGL325A1208G Microsemi POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 запрос
APTM100A40FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 запрос
APTM100A46FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 запрос
APTM100DA18CT1G Microsemi MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 запрос
APTM100A23STG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 запрос
APTM100A23SCTG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 запрос
APTJC120AM25VCT1AG Image APTJC120AM25VCT1AG Microsemi MOSFET MODULE запрос
APTLGT300A1208G Microsemi MOD IGBT 1200V 440A LP8 запрос
APTM100DA18TG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 запрос
APTM08TAM04PG Image APTM08TAM04PG Microsemi MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P запрос
APTM100A18FTG Image APTM100A18FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 запрос
APTM100DA18T1G Microsemi MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 запрос
APTM100A13SG Image APTM100A13SG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 запрос
APTM100A12STG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W запрос
APTM100AM90FG Image APTM100AM90FG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 запрос
APTM08TDUM04PG Image APTM08TDUM04PG Microsemi MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P запрос
APTLGF350A608G Image APTLGF350A608G Microsemi POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 запрос
APTLGT400A608G Image APTLGT400A608G Microsemi POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 запрос

Latest Новости