русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
Тип продуктов:
APT35GP120B2DQ2G
производитель:
Microsemi
Описание:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
43146 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
1.APT35GP120B2DQ2G.pdf2.APT35GP120B2DQ2G.pdf
запрос

Введение

We can supply APT35GP120B2DQ2G, use the request quote form to request APT35GP120B2DQ2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT35GP120B2DQ2G.The price and lead time for APT35GP120B2DQ2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT35GP120B2DQ2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic:3.9V @ 15V, 35A
режим для испытаний:600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C:16ns/95ns
Переключение энергии:750µJ (on), 680µJ (off)
Серии:POWER MOS 7®
Мощность - Макс:543W
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3 Variant
Другие названия:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода:Standard
Тип IGBT:PT
Заряд затвора:150nC
Подробное описание:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
Ток - Коллектор Импульсные (ICM):140A
Ток - коллектор (Ic) (Макс):96A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT35GP120B2DQ2G

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT35GA90BD15 Image APT35GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO247 запрос
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 запрос
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO247 запрос
APT34N80LC3G Image APT34N80LC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 запрос
APT35DL120HJ Image APT35DL120HJ Microsemi DIODE MODULE 1.2KV SOT227 запрос
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 запрос
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 запрос
APT34N80B2C3G Image APT34N80B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX запрос
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK запрос
APT35GA90B Image APT35GA90B Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO-247 запрос
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 запрос
APT34M120J Image APT34M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 запрос
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос
APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 запрос
APT34M60B Image APT34M60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 запрос
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 запрос
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 запрос
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 запрос

Latest Новости