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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
Modelo do Produto:
APT35GP120B2DQ2G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
43146 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APT35GP120B2DQ2G.pdf2.APT35GP120B2DQ2G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:3.9V @ 15V, 35A
Condição de teste:600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:16ns/95ns
Alternando Energia:750µJ (on), 680µJ (off)
Série:POWER MOS 7®
Power - Max:543W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3 Variant
Outros nomes:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:150nC
Descrição detalhada:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
Atual - Collector Pulsada (ICM):140A
Atual - Collector (Ic) (Max):96A
Email:[email protected]

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