ZXMC3F31DN8TA
ZXMC3F31DN8TA
Modelo do Produto:
ZXMC3F31DN8TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
46169 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
ZXMC3F31DN8TA.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:24 mOhm @ 7A, 10V
Power - Max:1.8W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:ZXMC3F31DN8TADI
ZXMC3F31DN8TADI-ND
ZXMC3F31DN8TADITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:608pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12.9nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate, 4.5V Drive
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.8A, 4.9A
Email:[email protected]

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