SI1035X-T1-E3
SI1035X-T1-E3
Modelo do Produto:
SI1035X-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
11019 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI1035X-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:400mV @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-89-6
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Power - Max:250mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:SI1035X-T1-E3CT
SI1035XT1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:180mA, 145mA
Número da peça base:SI1035
Email:[email protected]

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