SI1035X-T1-E3
SI1035X-T1-E3
Part Number:
SI1035X-T1-E3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
11019 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SI1035X-T1-E3.pdf

Úvod

We can supply SI1035X-T1-E3, use the request quote form to request SI1035X-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI1035X-T1-E3.The price and lead time for SI1035X-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI1035X-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:400mV @ 250µA (Min)
Dodavatel zařízení Package:SC-89-6
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Power - Max:250mW
Obal:Cut Tape (CT)
Paket / krabice:SOT-563, SOT-666
Ostatní jména:SI1035X-T1-E3CT
SI1035XT1E3
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Typ FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Detailní popis:Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:180mA, 145mA
Číslo základní části:SI1035
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře