RN4601(TE85L,F)
RN4601(TE85L,F)
Modelo do Produto:
RN4601(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
48690 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
RN4601(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SM6
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:RN4601(TE85LF)CT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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