NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G
Modelo do Produto:
NTJD4105CT2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15726 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTJD4105CT2G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Power - Max:270mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:NTJD4105CT2G-ND
NTJD4105CT2GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:46 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:46pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V, 8V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:630mA, 775mA
Número da peça base:NTJD4105C
Email:[email protected]

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