NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G
Part Number:
NTJD4105CT2G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15726 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
NTJD4105CT2G.pdf

Úvod

We can supply NTJD4105CT2G, use the request quote form to request NTJD4105CT2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTJD4105CT2G.The price and lead time for NTJD4105CT2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTJD4105CT2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:1.5V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Power - Max:270mW
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ostatní jména:NTJD4105CT2G-ND
NTJD4105CT2GOSTR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:46 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:46pF @ 20V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Typ FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V, 8V
Detailní popis:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:630mA, 775mA
Číslo základní části:NTJD4105C
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře