NSVMUN2112T1G
NSVMUN2112T1G
Modelo do Produto:
NSVMUN2112T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
48531 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NSVMUN2112T1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-59-3
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Power - Max:230mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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