NDD60N900U1-1G
- Modelo do Produto:
- NDD60N900U1-1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 10789 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- NDD60N900U1-1G.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I-PAK |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 900 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 74W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 600V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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