MJD253T4G
MJD253T4G
Modelo do Produto:
MJD253T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 100V 4A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12216 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MJD253T4G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
Power - Max:1.4W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:MJD253T4GOS
MJD253T4GOS-ND
MJD253T4GOSTR
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:40MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 200mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):4A
Número da peça base:MJD253
Email:[email protected]

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