IXTA08N100D2HV
- Modelo do Produto:
- IXTA08N100D2HV
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descrição:
- MOSFET N-CH
- Quantidade disponível:
- 72930 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- IXTA08N100D2HV.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 25µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-263HV |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
| Dissipação de energia (Max): | 60W (Tc) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Depletion Mode |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 0V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1000V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 1000V 800mA (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-263HV |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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