HUF76629D3ST
- Modelo do Produto:
- HUF76629D3ST
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 43881 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- HUF76629D3ST.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252AA |
| Série: | UltraFET™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 52 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 110W (Tc) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | HUF76629D3STCT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1285pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 100V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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