FDV303N_NB9U008
Modelo do Produto:
FDV303N_NB9U008
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
38721 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.FDV303N_NB9U008.pdf2.FDV303N_NB9U008.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):350mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.7V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição detalhada:N-Channel 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:680mA (Ta)
Email:[email protected]

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