FDV303N_NB9U008
Modello di prodotti:
FDV303N_NB9U008
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
38721 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.FDV303N_NB9U008.pdf2.FDV303N_NB9U008.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):350mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.7V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione dettagliata:N-Channel 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:680mA (Ta)
Email:[email protected]

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