FDP2D3N10C
- Modelo do Produto:
- FDP2D3N10C
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
- Quantidade disponível:
- 47115 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- FDP2D3N10C.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 700µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220-3 |
| Série: | PowerTrench® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 214W (Tc) |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11180pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 152nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 100V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 222A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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