CDBGBSC201200-G
- Modelo do Produto:
- CDBGBSC201200-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descrição:
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 49634 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- CDBGBSC201200-G.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.8V @ 10A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1200V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247 |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| configuração de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrição detalhada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 25.9A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 100µA @ 1200V |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 25.9A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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