BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
Modelo do Produto:
BSM300D12P2E001
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
42992 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.BSM300D12P2E001.pdf2.BSM300D12P2E001.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 68mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:Module
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Power - Max:1875W
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:Module
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:35000pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:Silicon Carbide (SiC)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1875W Chassis Mount Module
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:300A (Tc)
Email:[email protected]

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