APTM60H23FT1G
- Modelo do Produto:
- APTM60H23FT1G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 69664 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.APTM60H23FT1G.pdf2.APTM60H23FT1G.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SP1 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 276 mOhm @ 17A, 10V |
| Power - Max: | 208W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SP1 |
| Outros nomes: | APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 32 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5316pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Tipo FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Característica FET: | Standard |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
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