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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOWF412
AOWF412
AOWF412
Modelo do Produto:
AOWF412
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
53598 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.AOWF412.pdf2.AOWF412.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:SDMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15.8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 33W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):7V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 7.8A (Ta), 30A (Tc) 2.1W (Ta), 33W (Tc) Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.8A (Ta), 30A (Tc)
Email:[email protected]

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