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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > ALD212900APAL
ALD212900APAL
Modelo do Produto:
ALD212900APAL
Fabricante:
Advanced Linear Devices, Inc.
Descrição:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
5823 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
ALD212900APAL.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:10mV @ 20µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PDIP
Série:EPAD®, Zero Threshold™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14 Ohm
Power - Max:500mW
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:8-DIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes:1014-1215
Temperatura de operação:0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:30pF @ 5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):10.6V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80mA
Email:[email protected]

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