Nederland
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Over ons | Neem contact met ons op | Een citaat aanvragen |
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays > EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
Onderdeel nummer:
EPC2110ENGRT
Fabrikant:
EPC
Beschrijving:
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Leid Free Status / RoHS Status:
Loodvrij / RoHS-conform
beschikbare kwaliteit:
76381 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Data papier:
EPC2110ENGRT.pdf
Onderzoek

Invoering

We can supply EPC2110ENGRT, use the request quote form to request EPC2110ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2110ENGRT.The price and lead time for EPC2110ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2110ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

bestek

Staat New & Unused, Original Packing
Oorsprong Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 700µA
Leverancier Device Pakket:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:60 mOhm @ 4A, 5V
Vermogen - Max:-
Packaging:Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:Die
Andere namen:917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
Temperatuur:-40°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Standaard Levertijd:16 Weeks
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.8nC @ 5V
FET Type:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):120V
gedetailleerde beschrijving:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments

Verwante onderdelen voor EPC2110ENGRT

Beeld Onderdeel nummer fabrikanten Beschrijving Uitzicht
EPC2818 Image EPC2818 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Onderzoek
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER Onderzoek
EPC2LC20 Image EPC2LC20 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC Onderzoek
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Onderzoek
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2815 Image EPC2815 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2203 Image EPC2203 EPC GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR Onderzoek
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2801 Image EPC2801 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Onderzoek
EPC2202 Image EPC2202 EPC GANFET N-CH 80V 18A DIE Onderzoek
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Onderzoek
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Onderzoek
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Onderzoek
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Onderzoek

Latest Nieuws