ZXMN10A08DN8TA
ZXMN10A08DN8TA
제품 모델:
ZXMN10A08DN8TA
제조사:
Diodes Incorporated
기술:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
8922 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
ZXMN10A08DN8TA.pdf

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2V @ 250µA (Min)
제조업체 장치 패키지:8-SO
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):250 mOhm @ 3.2A, 10V
전력 - 최대:1.25W
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들:ZXMN10A08DN8TACT
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:20 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:405pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:7.7nC @ 10V
FET 유형:2 N-Channel (Dual)
FET 특징:Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):100V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):1.6A
Email:[email protected]

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