조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 6V @ 130mA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | Y3-DCB |
연속: | HiPerFET™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 1.8 mOhm @ 500mA, 10V |
전력 소비 (최대): | 2500W (Tc) |
포장: | Bulk |
패키지 / 케이스: | Y3-DCB |
다른 이름들: | Q1434129 VM0650-01F |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Chassis Mount |
제조업체 표준 리드 타임: | 32 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 59000pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2300nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
상세 설명: | N-Channel 100V 690A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 690A (Tc) |
기본 부품 번호: | VMO |
Email: | [email protected] |