조건 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | - |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220-3 |
연속: | U-MOSIV |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
전력 소비 (최대): | - |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
다른 이름들: | TK50E06K3AS1X(S TK50E06K3AS1XS |
작동 온도: | - |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 60V |
상세 설명: | N-Channel 60V 50A (Tc) Through Hole TO-220-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |