TK14C65W5,S1Q
TK14C65W5,S1Q
제품 모델:
TK14C65W5,S1Q
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
37203 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
TK14C65W5,S1Q.pdf

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):4.5V @ 690µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:I2PAK
연속:DTMOSIV
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):300 mOhm @ 6.9A, 10V
전력 소비 (최대):130W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들:TK14C65W5,S1Q(S
TK14C65W5,S1Q(S2
TK14C65W5,S1Q-ND
TK14C65W5S1Q
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1300pF @ 300V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:40nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):650V
상세 설명:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):13.7A (Ta)
Email:[email protected]

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