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STWA48N60DM2
제품 모델:
STWA48N60DM2
제조사:
STMicroelectronics
기술:
MOSFET
사용 가능한 수량:
36638 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
STWA48N60DM2.pdf
문의

소개

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조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):5V @ 250µA
Vgs (최대):±25V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-247 Long Leads
연속:MDmesh™ DM2
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):79 mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대):300W (Tc)
패키지 / 케이스:TO-247-3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
제조업체 표준 리드 타임:42 Weeks
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:3250pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:70nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):600V
상세 설명:N-Channel 600V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):40A (Tc)
Email:[email protected]

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