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STSJ100NHS3LL
제품 모델:
STSJ100NHS3LL
제조사:
STMicroelectronics
기술:
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
64218 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
STSJ100NHS3LL.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 1mA
Vgs (최대):±16V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:8-SOIC-EP
연속:STripFET™ III
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):4.2 mOhm @ 10A, 10V
전력 소비 (최대):3W (Ta), 70W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:4200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:35nC @ 4.5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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