조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 100µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | UFM |
연속: | U-MOSVIII-H |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 69 mOhm @ 2A, 10V |
전력 소비 (최대): | 1.8W (Ta) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 3-SMD, Flat Leads |
다른 이름들: | SSM3K361TU,LF(B SSM3K361TULF SSM3K361TULF(B SSM3K361TULFTR |
작동 온도: | 175°C |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 430pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 3.2nC @ 4.5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
상세 설명: | N-Channel 100V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount UFM |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 3.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |