SQJ443EP-T1_GE3
SQJ443EP-T1_GE3
제품 모델:
SQJ443EP-T1_GE3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
30262 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
SQJ443EP-T1_GE3.pdf

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PowerPAK® SO-8
연속:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):29 mOhm @ 18A, 10V
전력 소비 (최대):83W (Tc)
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:PowerPAK® SO-8
다른 이름들:SQJ443EP-T1_GE3CT
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TA)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2030pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:57nC @ 10V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):40V
상세 설명:P-Channel 40V 40A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):40A (Tc)
Email:[email protected]

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