SQJ431EP-T1_GE3
- 제품 모델:
- SQJ431EP-T1_GE3
- 기술:
- MOSFET P-CHAN 200V SO8L
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 79362 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- SQJ431EP-T1_GE3.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 테스트: | 4355pF @ 25V |
| 전압 - 파괴: | PowerPAK® SO-8 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (최대): | 6V, 10V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 12A (Tc) |
| 편광: | PowerPAK® SO-8 |
| 다른 이름들: | SQJ431EP-T1_GE3TR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 18 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | SQJ431EP-T1_GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 160nC @ 10V |
| IGBT 유형: | ±20V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 3.5V @ 250µA |
| FET 특징: | P-Channel |
| 확장 설명: | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 200V |
| 용량 비율: | 83W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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