SIHD5N50D-GE3
SIHD5N50D-GE3
제품 모델:
SIHD5N50D-GE3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
38915 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
SIHD5N50D-GE3.pdf

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):5V @ 250µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-252AA
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
전력 소비 (최대):104W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들:SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:18 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:325pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:20nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):500V
상세 설명:N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):5.3A (Tc)
Email:[email protected]

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