SIHD5N50D-GE3
- Modello di prodotti:
- SIHD5N50D-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 38915 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SIHD5N50D-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252AA |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 104W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | SIHD5N50D-GE3CT SIHD5N50D-GE3CT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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