SI7252DP-T1-GE3
- 제품 모델:
- SI7252DP-T1-GE3
- 기술:
- MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 23872 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- SI7252DP-T1-GE3.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 연속: | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 18 mOhm @ 15A, 10V |
| 전력 - 최대: | 46W |
| 포장: | Original-Reel® |
| 패키지 / 케이스: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 다른 이름들: | SI7252DP-T1-GE3DKR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1170pF @ 50V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징: | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
| 상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 36.7A |
| 기본 부품 번호: | SI7252 |
| Email: | [email protected] |
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