조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.5V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지: | 8-TSSOP |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
전력 - 최대: | 1.6W, 1.7W |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
다른 이름들: | SI6562CDQ-T1-GE3CT |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 850pF @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET 유형: | N and P-Channel |
FET 특징: | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
상세 설명: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 6.7A, 6.1A |
기본 부품 번호: | SI6562 |
Email: | [email protected] |