SI4916DY-T1-E3
제품 모델:
SI4916DY-T1-E3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
26887 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
SI4916DY-T1-E3.pdf

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:8-SO
연속:LITTLE FOOT®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):18 mOhm @ 10A, 10V
전력 - 최대:3.3W, 3.5W
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들:SI4916DY-T1-E3DKR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:10nC @ 4.5V
FET 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징:Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):10A, 10.5A
기본 부품 번호:SI4916
Email:[email protected]

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