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RT1A050ZPTR
RT1A050ZPTR
제품 모델:
RT1A050ZPTR
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
36721 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.RT1A050ZPTR.pdf2.RT1A050ZPTR.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):1V @ 1mA
Vgs (최대):±10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:8-TSST
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):26 mOhm @ 5A, 4.5V
전력 소비 (최대):600mW (Ta)
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:8-SMD, Flat Lead
다른 이름들:RT1A050ZPCT
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2800pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:34nC @ 4.5V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):12V
상세 설명:P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):5A (Ta)
Email:[email protected]

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