RS1E170GNTB
RS1E170GNTB
제품 모델:
RS1E170GNTB
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
76630 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.RS1E170GNTB.pdf2.RS1E170GNTB.pdf

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 1mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:8-HSOP
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):6.7 mOhm @ 17A, 10V
전력 소비 (최대):3W (Ta), 23.7W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-PowerTDFN
다른 이름들:RS1E170GNTBTR
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:40 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:720pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:12nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:N-Channel 30V 17A (Ta) 3W (Ta), 23.7W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):17A (Ta)
Email:[email protected]

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